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同时，明阳目落利用Ge和In掺杂提升了SnSe电子结构的电子态密度，使材料保持了大的塞贝克系数。图5 Sn0.96Ge0.02In0.02Se纳米片的（a）热电优值（ZT），集团（b）ZT与有关报道的比较，集团（c）平均ZT，（d）理论能量转换效率在Ge、In掺杂的SnSe纳米片中，获得1.9的峰值ZT的同时，将平均ZT从0.35提升至0.88，增大了151%。

这种电声协同效应将SnSe多晶的最高热电优值提升至1.92，产业并显著提升了其宽温域热电性能，产业平均热电优值达到0.88，宽温域热电性能的提升有效提高了材料热电转换效率。【数据概览】图1 （a）SnSe的SEM图，地中（b-d）Sn1-2xGexInxSe纳米片的SEM图。图2 Sn1-2xGexInxSe纳米片的（a）总热导率（kT），亿园等源项（b）kT与相关报道对比，（c）晶格热导率（kL），（d）kL与相关报道对比。

【核心创新点】设计了简便、明阳目落高效、低成本的溶液合成方法成功制备SnSe纳米片，利用纳米边界、晶格应变有效抑制晶格热导率。集团论文信息EnhancedDensityofStatesFacilitatesHighThermoelectricPerformanceinSolution-GrownGeandIncodopedSnSeNanoplatesYaruGong,ShihuaZhang,YunxiangHou,ShuangLi,ChongWang,WenjieXiong,QingtangZhang,XuefeiMiao,JiziLiu,YangCao,DiLi,GuangChen,*GuodongTang文章链接：https://doi.org/10.1021/acsnano.2c11095DOI：10.1021/acsnano.2c11095本文由作者供稿。

通过设计纳米片结构，产业调控材料的声子输运过程，产业大幅降低了材料的热导率，研究发现纳米片形成的纳米晶界以及位错和层错导致了显著的晶格应变，形成了强的声子散射中心，从而使晶格热导率显著降低，在873K时获得了0.19Wm-1K-1的超低晶格热导率。

Ge和In掺杂不仅优化了Seebeck系数，地中而且显著提高了载流子浓度和电导率，有助于在宽温度范围内保持高功率因数。【结束语】当猫咪快要生产时，亿园等源项一定要及时引导猫咪回到产窝，注意陪伴母猫度过生产阶段，避免我家出现的这种情况哦。

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